Re-SiC（もしくはR-SiC）とはRe-crystallized SiCの略で＝再結晶SiC。下の写真は小型の再結晶SiCるつぼでサイズはφ90（内径φ80) x h100mm / フタ付です。
真空雰囲気炉2,400℃以上で焼成して製造されるこの再結晶SiC耐火物の（大気雰囲気）最高使用温度は1,650℃と高いのが特徴で、SiC99%、気孔率約15%です。
各種SiC耐火物の比較は弊社の高機能SiC耐火物ページのテクニカルデータ表をご参照ください。
カテゴリー: SiC耐火物の紹介
N-SiC（窒化物結合SiC）薄型支柱
N-SiCとはNitride bonded Silicon Carbideの略で＝窒化物結合SiC。下の写真はN-SiC製の薄型支柱です。
最高使用温度は1,450℃で、Si2N4が約25%入っており窒化物入りの為、耐酸化性能に優れ、耐火物の中でも比較的じん性があり割れ難いとされています。価格は酸化物結合SiCよりも高価ですが、迅速焼成をするヨーロッパ系の炉などでは比較的多く採用されている材質です。
各種SiC耐火物の比較は弊社の高機能SiC耐火物ページのテクニカルデータ表をご参照ください。
焼却炉用SiCレンガ
複雑形状SiC耐火物として、焼却炉用SiCレンガも多数あり下記の写真はその一例です。
これらは全てプレス成形品のSiC耐火物で、気孔率も数パーセントと低く耐久性があります。
熱処理炉用SiC耐火物レール
下の写真は熱処理炉のSiC製レールの一例です。
弊社販売のSiC耐火物レールは鋳込み成形ではなくプレス成形品ですので、耐荷重・耐磨耗性にも優れています。複雑形状でもプレス成形で対応できるのが弊社の強みです。
重量物焼成に使用されるSiC製I型支柱
酸化物（シリカ）結合SiCの支柱です。
写真の物は高さ350mmで上下頭部分は80x80mmです。
一般的にはムライト質の白色の支柱が多く使われますが、碍子（がいし）等の重量物を焼成される場合はSiC製支柱も使われます。前々回のブログ記事にあるように、ムライト製支柱の圧縮強度は約680kgf/㎠ですがこのSiC製支柱の圧縮強度は約1,500kgf/㎠です。又、ムライト支柱は熱間荷重により縮んで行きますが、SiC支柱にはそれがありません。
但し、SiC支柱とSiC棚板は焼成後引っ付く可能性がありますので、基本的には組みっぱなし（焼成毎に棚組をくずさない）の台車に組まれる場合が多いです。
尚、当社でもこの手のSiC支柱は在庫しておりませんので、基本的には全て受注生産となります（受注生産の場合は最低ご注文数量の設定がございますので別途お問い合わせ下さい）。
再結晶SiC(Re-SiC）大型肉厚ボード
下の写真は再結晶SiC(Re-SiC）製の大型肉厚ボード（中実材）で、サイズは幅130mm 厚み30mm 長さ2300mmです。
再結晶SiCの特徴はSiC99%で最高使用温度が1600℃と高い事です。アルミナ系でここまでの大型サイズの物を作るのはかなり難しく、またSiC系はアルミナ系と違い曲げ強度は最高使用温度まで低下しないという特徴があり（アルミナ系は温度が上がっていくと強度は下がって行きます）、高温での耐熱間荷重を要求される吊るし焼き等に使用されます。
再結晶SiC（Re-SiC）プレート
下の写真は再結晶SiC（Re-SiC）プレート450x450x8mm です。
SiC 99%のプレートで最高使用温度は1600℃です。500x500mm サイズ以上のプレートも供給可能です。
反応焼結SiC（Si-SiC）の焼成直後
下の写真は焼成直後の反応焼結SiCのローラーチューブです。
見た目は金属のようにキラキラしていますが、これは含浸しきれなかった金属シリコンが表面に付着しているためです。この後サンドブラストで表面の余分な金属シリコンを削り取り、つや消しグレーのいつものSi-SiC耐火物の表面状態になります。
穴付きSiCプレート
サイズ400 x 150 x 20mm 穴付きの酸化物結合SiCプレートです。
SiCの穴あけ加工はダイヤモンドドリルを使用する為に非常に高価となり、現実的ではありません。当社販売の酸化物結合SiCプレートは全てプレス成形品で、金型からこの形状を成型します。
尚、金型作製からとなりますので、製作時にはある程度まとまった数でのご注文が必要となります。
SiCストラクチャーパイプ
同じくシリカ結合（酸化物結合）SiCのパイプ形状製品、ストラクチャーパイプ（パイプ支柱）です。
パイプ形状ですが、鋳込み成型ではなくプレスの縦打ち成型ですので、低気孔率で荒目の原料も使いますので丈夫で長持ちします。
通常、ストラクチャーパイプの上には、はまり込むキャップを載せ、その上に横渡しのビームを載せ台車棚組み等の土台とします。比較的昔からある支持方法で、Si-SiCビームを使った方法よりも比較的安価にできます。